-本研究相關參數圖表，整理至文末處-
摘要
錫基鈣鈦礦太陽能電池(PSCs)作為一種具有巨大潛力的無鉛光伏技術，其發展受到p型自摻雜、高缺陷密度和非輻射複合等因素的限制。近期，中國科學技術大學微電子學院胡芹特任研究員團隊在《納米快報》上發表了一項重要研究成果，他們通過梯度鍺摻雜構建了錫基鈣鈦礦同質結結構，有效抑制了自摻雜效應，并大幅提升了器件的效率和穩定性，為錫基PSCs的發展開闢了新的道路。
光焱科技設備的應用
該研究使用了光焱科技(Enlitech)的QE-R_PV/太陽能電池量子效率測量系統進行器件的EQE光譜測量，并獲得了 IPCE (入射光子-電子轉換效率)數據。QE-R系統具有以下特色優勢：
l 適用于各種太陽能電池測試: QE-R 系統不僅適用于單結太陽能電池測試，還適用于串聯太陽能電池測試，包括鈣鈦礦太陽能電池、有機太陽能電池、硅異質結(HJT)電池、TOP-Con電池、銅銦鎵硒(CIGS)電池等多種類型的電池。
l 寬波長范圍: QE-R 系統提供 3001800 nm、300~2500 nm 或客製化的波長范圍，滿足不同材料和器件的測試需求。
l 提供多種數據: QE-R 系統能夠提供QE（量子效率）、PV-EQE（外部量子效率）、IPCE（入射光子-電子轉換效率）、SR（光譜響應）、IQE（內部量子效率）、反射率等多種數據，為研究提供全面的信息。
l 高重複性: QE-R 系統結構緊湊，重復性高，超過99.5%，確保了測量的準確性和可靠性。
l 符合多種標準: QE-R 系統符合 ATSM E 1021-15, ASTM E948, IEC 60904-8, IEC 60904-7, IEC 60904-1 等多種標準，確保了測量的規范性和可比性。
研究背景與核心概念
p型自摻雜是阻礙錫基鈣鈦礦發展高性能太陽能電池的主要因素之一，它會增加背景電流密度，并加劇載流子復合過程。該研究提出了一種基于梯度鍺摻雜的同質結結構，該結構在鈣鈦礦薄膜內部產生內建電場，有效地耗盡了電荷載流子，從而降低了暗電流密度和陷阱密度。
研究方法與主要發現
研究團隊利用多種先進技術和設備對鈣鈦礦薄膜和器件進行了深入分析，包括：
密度泛函理論(DFT)計算:研究人員利用DFT計算揭示了同質結的形成機制，并分析了鍺摻雜對鈣鈦礦薄膜能級結構的影響。
X射線光電子能譜 (XPS): XPS 用于分析鈣鈦礦薄膜中鍺元素的分布和化學狀態，驗證了梯度摻雜的形成。
開爾文探針力顯微鏡 (KPFM): KPFM 用于測量鈣鈦礦薄膜的表面電勢，證實了同質結結構的形成。
紫外光電子能譜 (UPS): UPS 用于分析鈣鈦礦薄膜的能級結構，研究了鍺摻雜對能級的影響。
X射線衍射 (XRD): XRD 用于分析鈣鈦礦薄膜的結晶度和晶體結構，研究了鍺摻雜對晶格的影響。
光致發光(PL)光譜和瞬態光致發光 (TRPL): PL 光譜和TRPL用于研究鈣鈦礦薄膜的激發態動力學和非輻射復合過程。
電流-電壓(J-V)特性測試:研究人員利用J-V特性測試評估了PSCs的光電轉換效率和其他關鍵參數。
研究發現，梯度鍺摻雜構建的同質結結構有效地降低了錫基鈣鈦礦薄膜的暗電流密度兩個數量級，并將陷阱密度降低了一個數量級。基于該結構的錫基PSCs，其功率轉換效率(PCE)達到了13.3%，并展現出優異的穩定性，在連續光照250分鐘后仍能保持95%的初始效率，在儲存3800小時后仍能保持85%的初始效率。
研究結果與討論
研究結果表明，氟化可以降低Spiro-OMeTAD的HOMO和LUMO能級，并拓寬其光學帶隙，有利于提高器件的開路電壓(Voc)和短路電流密度(Jsc)。此外，氟化還能增強HTM的疏水性，提高器件的耐濕性。
基于Spiro-mF的PSCs實現了24.82%的高效率(認證效率24.64%)，電壓損失僅為 0.3 V，是目前報道的PSCs中低的電壓損失。這表明 Spiro-mF 能夠有效地提取空穴并抑制非輻射復合。
此外，Spiro-mF基器件還展現出優異的穩定性。在50%相對濕度環境下，未封裝的Spiro-mF基器件在500小時后仍能保持87%的初始效率，而Spiro-OMeTAD基器件的效率則下降到60%。
分子動力學模擬結果表明，Spiro-mF比Spiro-oF和Spiro-OMeTAD更容易吸附在鈣鈦礦表面，并且其芴單元更容易與鈣鈦礦表面接觸。Spiro-mF在鈣鈦礦表面形成層狀堆積結構，空穴傳輸積分更高，更有利于空穴傳輸。
結論與展望
該研究通過梯度鍺摻雜成功地構建了高效穩定的錫基鈣鈦礦同質結太陽能電池，為錫基PSCs的發展提供了新的策略。這項研究不僅揭示了同質結形成的微觀機制，也為設計新型無鉛鈣鈦礦光電器件提供了新的思路。未來，研究人員可以進一步探索其他摻雜元素和同質結結構，開發出更高效、更穩定、更環保的無鉛PSCs，為可再生能源的發展做出貢獻。
本文參數圖:
Fig S1._圖a:
n 展示了不同Gel摻雜濃度（1%，5%，10%）對設備性能的影響。
n 控制組（Control）與三個摻雜組的電流密度隨電壓變化。
n 隨著Gel摻雜濃度的增加，電流密度在一定電壓范圍內有所提高。
圖b:
n 展示了目標設備在正向掃描（Forward Scan）和反向掃描（Reverse Scan）時的性能。
n 兩條曲線幾乎重合，表明掃描方向對設備性能影響不大。
l IPCE（入射光子轉電子效率）光譜圖。圖中展示了兩組樣本：控制組和含有5%凝膠的目標組。
l 控制組和含5%凝膠的樣本在600-800納米波長范圍內，IPCE有顯著提高。
l 提高的原因是在鈣鈦礦頂層表面和電荷載流子傳輸層之間的非輻射復合減少。
這表明添加5%凝膠可能改善了電池的電荷傳輸效率，從而提高了太陽能電池的性能。
原文出處:Nano Lett.2024, 24, 18, 5513–5520
推薦設備_ QE-R_流行和值得信賴的 QE / IPCE 系統
具有以下特色優勢：
l 高精度: QE-R 系統采用高精度光譜儀和校準光源，確保 EQE 測量的準確性和可靠性。
l 寬光譜范圍: QE-R 系統的光譜范圍復蓋紫外到近紅外區域，適用于各種光伏材料和器件的 EQE 測量。
l 快速測量: QE-R 系統具有快速掃描和數據采集功能，能夠高效地進行 EQE 光譜測量。
l 易于操作: QE-R 系統軟件界面友好，操作簡單方便，即使是初學者也能輕松上手。
多功能: QE-R 系統不僅可以進行 EQE 測量，還可以進行反射率、透射率等光學特性的測量，具有多功能性。
